国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“FDSOI器件及其制造方法”的专利，公开号CN122871666A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请提供一种FDSOI器件及其制造方法，该方法包括：步骤一，提供绝缘体上硅衬底，去除部分绝缘体上硅；步骤二，在保留的绝缘体上硅两侧外延生长硅层；步骤三，形成浅沟槽隔离的同时，在保留的绝缘体上硅两侧形成增厚埋氧层；步骤四，去除保留的绝缘体上硅中的硅层后，实施阱区注入，并在绝缘体上硅中的埋氧层上形成伪栅极结构；步骤五，在浅沟槽隔离和增厚埋氧层之间的硅层上形成抬升源/漏极；步骤六，去除伪栅极结构中的伪栅极后，形成金属栅极。形成厚的栅极介质层，可以承受更高的栅极电压，满足中高压器件的需求，拓宽FDSOI工艺平台的应用场景。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2114次，专利信息2949条，此外企业还拥有行政许可552个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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